8 В Радиатор есть Количество ранков 2 Дополнительная информация Память снабжена микросхемой AMB (Advanced Memory Buffer), которая увеличивает скорость буферизации всех сигналов - синхронизации, адреса, команд и данных в направлении устройства DRAM и обратно. По 1000р есть 4 штуки Тип памяти DDR2 Форм-фактор FB-DIMM 240-контактный Тактовая частота 533 МГц Пропускная способность 4200 Мб/с Объем 1 модуль 1 Гб Поддержка ECC есть Буферизованная (Registered) да Низкопрофильная (Low Profile) нет Тайминги CAS Latency (CL) 4 RAS to CAS Delay (tRCD) 4 Row Precharge Delay (tRP) 4 Activate to Precharge Delay (tRAS) 12 Дополнительно Количество чипов каждого модуля 18, двусторонняя упаковка Напряжение питания 1.